德国科学家团队在二维半导体光电调控领域取得重要突破。比勒费尔德大学与德累斯顿莱布尼茨固体与材料研究所的研究人员开发出一种新型太赫兹光调控技术，相关成果发表在《自然通讯》期刊上。

研究团队创新性地设计了特殊纳米天线结构，成功将太赫兹光脉冲转换为二维半导体材料中的强垂直电场。比勒费尔德大学物理学教授德米特里·图尔奇诺维奇表示："这项技术突破了传统电子门控的速度限制，响应时间可达皮秒量级。"实验证明，该方法能有效调控二硫化钼等材料的光学和电子特性。

该研究的关键突破在于实现了每厘米数兆伏的强电场调控，同时保持与工业制造工艺的良好兼容性。主要研究人员平冈智树博士指出，太赫兹光诱导的相干效应为开发新型光电器件提供了全新思路。德累斯顿团队通过多次优化实验，最终制备出性能优异的3D-2D纳米天线结构。

这项技术有望应用于超高速通信、量子计算等领域，为下一代光电器件的研发开辟新途径。研究团队计划进一步优化调控精度，探索更广泛的应用场景。

更多信息： Tomoki Hiraoka 等人，《二维半导体中的太赫兹场效应》，《自然通讯》(2025 年)。期刊信息： 《自然通讯》