据报道，日本住友重工业公司(SHI)开发出一种在钙钛矿太阳能电池内部制造关键层的新方法，声称该工艺可实现低温大规模生产，同时最大程度减少基板损坏。

这一关键层为电子传输层(ETL)，它如同钙钛矿中产生的电子传输到电极的“高速公路”。SHI采用的方法叫反应等离子体沉积(RPD)，是物理气相沉积(PVD)的一种形式。SHI在新闻稿中解释，传统形成方法虽具成本效益且适合大规模生产，但通常涉及高能粒子和高温环境，与钙钛矿材料不兼容，因此制造商正积极探索化学薄膜沉积方法。

目前，钙钛矿技术前景广阔但存在诸多缺陷。传统电子传输层制备方法，无论是化学方法还是高能方法，都需要高温、刺激性颗粒或有毒气体，可能损坏钙钛矿材料，增加成本或带来安全风险。而SHI的新方法能在低温下沉积超薄二氧化锡(SnO₂)电子传输层，防止钙钛矿受损。二氧化锡是一种低成本、以优异导电性闻名的金属氧化物，在各种技术中用作半导体，采用PVD沉积工艺，使用无害气体，更安全环保，速度比现有方法快200倍，成本仅为当前ETL制造成本的0.5%左右。

SHI在全球率先证明其PVD技术能够生产出符合ETL所需绝缘性能的SnO₂薄膜。与目前其他制造商正在开发的化学薄膜沉积方法相比，这项突破性技术在量产和性价比方面均有显著提升。SHI指出，将这种薄膜沉积技术应用于钙钛矿太阳能电池大规模生产，目标是加速其应用，为实现碳中和社会做贡献。

尽管新技术前景光明，但SHI承认，由于材料成本高以及使用易燃或有毒前体气体，生产仍具挑战性，扩大生产难度较大。不过，SHI介绍，其方法与其他太阳能电池层兼容，可与透明氧化铟锡(ITO)电极一起连续进行，电池也易于量产，使钙钛矿技术更接近商业化推广。

这一发展与日本经济产业省(METI)目标一致，即到2040年实现20吉瓦钙钛矿太阳能容量。为此，日本正推广钙钛矿在城市中的应用，如在建筑物上安装轻质、柔性面板。例如，2025年，日本通过城市试点项目、柔性模块测试以及创纪录的26.5%效率的钙钛矿 - 硅串联电池推进了钙钛矿太阳能的发展，展示了其在耐用性、可扩展性和高性能方面的潜力。