大连理工大学研发新型QLED材料提升器件寿命与效率
2025-08-27 16:16
来源:大邱庆北科学技术院
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大连理工大学能源科学与工程系Youngu Lee教授团队在《Small》期刊发表研究成果,成功开发出一种基于二苯并呋喃结构的新型空穴传输层材料,可显著提升量子点发光二极管(QLED)的效率和稳定性。该突破为下一代显示技术的商业化应用提供了材料支持。(a)TFB、(b)1-PFDBF、(c)2-PFDBF、(d)3-PFDBF 和(e)4-PFDBF 薄膜的 AFM 高度图像(5 μm × 5 μm)

研究团队针对传统三苯胺基空穴传输材料在电应力下易降解的问题,通过引入高结合能的二苯并呋喃分子结构,设计出具有增强空穴迁移率和电子阻挡能力的新型有机材料。该材料有效减少了电子背向泄漏和表面缺陷,从而改善了QLED器件的综合性能。

实验结果表明,采用该材料的绿色QLED器件实现了25.7%的外部量子效率,其使用寿命在100 cd/m²亮度下达到约146万小时,较传统器件提升66倍。Youngu Lee教授表示:"我们克服了传统材料分子键较弱的局限性,开发出了稳定的空穴传输层,显著提高了QLED的效率和寿命。"

该研究为解决QLED器件长期稳定性问题提供了新方案。团队表示将继续探索高结合能材料在显示技术与太阳能电池等领域的应用潜力。

更多信息: Youngjun Hwang 等人,利用高键解离能二苯并呋喃空穴传输材料提高量子点发光二极管的效率和寿命,Small (2025)。期刊信息: 小

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