纽约大学坦顿工程学院研究团队开发出一种基于低能离子束刻蚀(IBE)的新型量子器件制造方法，该成果发表于《应用物理快报》期刊。这项技术为探索更广泛的超导材料体系提供了新途径，有望促进量子计算硬件性能提升。

由Davood Shahrjerdi教授领导的团队采用物理图案化技术替代传统化学方法，成功实现了铌基超导谐振器的制备。量子器件在接近绝对零度的测试环境中表现出较低的能量损耗，性能与现有化学方法制造的器件相当。该研究解决了过渡金属氮化物、碳化物等材料难以通过化学工艺制备功能性量子器件的长期难题。

研究人员在纽约大学纳米制造洁净室完成器件制备，该设施配备先进的量子材料加工设备。博士生Miguel Manzo-Perez和Moeid Jamalzadeh共同开发了结合电子束光刻与IBE技术的制造流程。美国空军研究实验室合作者Matthew LaHaye博士表示："这种与材料无关的制造技术将扩展量子硬件的设计空间，有助于推进量子信息系统向更大规模发展。"

量子计算的发展需要能够长时间保持量子态的高性能硬件。低损耗超导器件是构建量子计算机的关键组件，其质量直接影响计算精度和容错能力。该项研究展示的IBE制造工艺为评估新型超导材料提供了有效手段，有助于加速量子技术从实验室向产业化过渡。

更多信息： Miguel Manzo-Perez 等人，通过离子束刻蚀实现高 Q 值超导铌谐振器的物理图案化，《应用物理快报》(2025 年)。期刊信息： 《应用物理快报》