由北京大学集成电路学院黄茹院士和吴艳清教授领衔的科研团队，成功开发出一种基于碳化硅(SiC)衬底的超薄、高性能半导体。该半导体不仅具备增强的导热性，还突破了非晶氧化物半导体(AOS)在速度与热稳定性之间的传统权衡，相关研究成果发表于《自然电子学》杂志，题为“用于10 GHz以上功率放大的非晶铟锡氧化物晶体管”。

AOS材料虽具备低温、大面积及芯片兼容加工的优势，但其低导热性常引发自热效应，进而限制了5G通信、物联网等高频应用场景的发展。此次北大团队通过引入SiC衬底，设计出120 nm短沟道顶栅氧化铟锡(ITO)晶体管，有效解决了这一问题。实验数据显示，该晶体管在3 V高电源电压和125°C高温环境下仍能稳定运行，彻底消除了自热现象。多项测试表明，其在速度、散热及功率性能上均刷新了AOS器件的纪录。

研究指出，高导热SiC衬底通过优化直流(DC)和射频性能，显著提升了超薄体ITO通道的热管理能力。与传统微米级厚度的散装通道材料相比，SiC衬底提供了更高效的热传导路径，为低成本、灵活且芯片兼容的射频电子设备开发奠定了基础。这一突破不仅推动了下一代射频电子学的进步，还为5G通信、物联网等领域的高速器件设计提供了新思路。

更多信息： Qianlan Hu 等，用于 10 GHz 以上功率放大的非晶态氧化铟锡晶体管，《自然电子学》(2025 年)。期刊信息： 《自然电子学》