沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学的研究团队在微芯片设计领域取得重要进展，成功研发出首个用于大面积电子器件的六层混合CMOS(互补金属氧化物半导体)，相关论文已发表于《自然电子学》杂志。这一成果突破了此前混合CMOS不超过两层堆叠的局限，为电子器件的小型化与高性能化开辟了新路径。

在微芯片技术中，CMOS微芯片是电子产品的核心组件，广泛应用于手机、电视、卫星及医疗设备等领域。与传统硅芯片相比，混合CMOS微芯片在大面积电子产品中展现出更广阔的应用前景。随着电子微型化对柔性电子、智能健康和物联网的推动，传统设计方法已接近性能极限，而六层混合CMOS的出现，为行业提供了新的解决方案。

“半导体行业长期致力于缩小晶体管尺寸以提高集成密度，但如今正面临量子力学极限与成本飙升的双重挑战。”领导该研究的KAUST副教授李晓航指出，“垂直堆叠晶体管成为突破平面缩放限制的关键方向。”他强调，KAUST团队通过优化制造工艺，将温度控制在150°C以下，多数步骤接近室温，同时显著提升了层层表面的光滑度与对齐精度，为垂直扩展与功能密度提升奠定了基础。

论文第一作者、博士后研究员Saravanan Yuvaraja表示：“微芯片设计的核心是在有限空间内集成更大功率。我们的改进为垂直扩展提供了蓝图，使功能密度远超当前水平。”KAUST教授Martin Heeney与兼职教授Thomas Anthopoulos也参与了此次研究。

更多信息： 用于大面积电子器件的三维集成混合互补电路，《自然电子学》(2025)。期刊信息： 《自然电子学》