日本九州大学研究团队研发出新型磁性随机存取存储器制造技术，该技术采用铥铁石榴石材料实现更高能效。这项磁性存储器研究旨在应对数据中心日益增长的能耗需求，特别是为生成式人工智能等高性能计算应用提供支持。

研究团队通过同轴溅射工艺成功制备TmIG薄膜，并在其上沉积3纳米厚铂层。九州大学信息科学与电气工程学院副教授Naoto Yamoto表示：“自旋轨道扭矩是一项可能有助于解决能耗问题的重要技术。它是一种利用电力控制设备中薄膜材料上微型磁铁方向的存储方法，使我们能够生产出速度更快的MRAM。”这种磁性存储器制造方法相比传统工艺更具成本效益。

铥铁石榴石材料自2012年在日本开发以来，因其在室温下实现高速低功耗数据写入的特性而受到关注。研究团队通过实验证实，新型磁性存储器材料的数据写入效率达到0.7×10^11 A/m²，与采用传统方法制备的薄膜性能相当。该研究成果已发表于《npj Spintronics》期刊。

这项进展标志着磁性存储器技术从基础研究向实际应用迈出重要一步。研究团队已着手开发基于该材料的功能器件，致力于构建更可持续的信息社会。新型磁性存储器的研发将为高能效计算硬件提供新的技术路径。

更多信息： 利用轴上磁控溅射技术制备具有垂直磁各向异性的外延亚铁磁绝缘体的确定性自旋轨道扭矩切换，npj Spintronics (2025)。