近日，由韩国蔚山国立科学技术大学(UNIST)电气工程系尹熙仁教授带领的团队，成功研发一款超小型混合低压差稳压器(LDO)，为先进半导体器件电源管理带来新可能。

这款创新芯片采用混合设计，融合模拟和数字电路优势。其独特之处在于运用先进的数模转换(D2A - TF)方法和本地接地发生器(LGG)，二者协同实现出色电压稳定性和噪声抑制。测试显示，在99mA快速电流波动时，电压纹波仅54毫伏，667纳秒内电压恢复正常;在10kHz频率和100mA负载下，电源抑制比(PSRR)达 - 53.7dB，能有效滤除该频率下几乎所有噪声。

该LDO另一大优势是尺寸小巧，采用28纳米CMOS工艺制造，无需笨重外部电容器，面积仅0.032平方毫米，极适合高度集成的片上系统(SoC)。首席研究员安昌敏称，新设计通过无缝数模转换技术解决传统混合LDO需大电容的问题，体积更小、效率更高。此外，它仅在电源突波需要时启动，待机功耗极低，综合品质因数(FoM)达0.029皮秒。尹熙仁教授表示，此超紧凑、低功耗LDO适合下一代AI芯片和6G通信模块，是高性能电子产品的多功能解决方案。

该研究成果已发表于《IEEE固态电路杂志》。

更多信息： Changmin An 等，《基于无缝数模转换技术的 −53.7 dB PSRR、快速瞬态无输出电容数字辅助模拟 LDO》，《IEEE 固态电路杂志》(2025 年)。期刊信息： IEEE 固态电路杂志