休斯顿大学研究团队在热管理材料领域取得重要发现，高质量砷化硼晶体在室温下展现出超越钻石的热导率。这项发表于《今日材料》的研究由德克萨斯超导中心任志峰教授主导，通过与加州大学圣巴巴拉分校和波士顿学院的合作，对砷化硼材料的热导率特性进行了深入探索。

研究团队通过提纯原料砷和改进合成工艺，成功制备出热导率超过2100 W/mK的砷化硼晶体。任志峰教授表示：“我们相信我们的测量结果;我们的数据是正确的，这意味着理论需要修正。”这一发现对现有热传导理论提出新见解，为开发新型热管理材料开辟了方向。砷化硼材料展现的超高热导率特性，使其在电子器件散热领域具有应用潜力。

该研究突破了2017年理论模型对砷化硼热导率的限制预测。任志峰指出：“你不应该让一个理论阻止你发现更大的东西，而这正是这项工作中发生的事情。”通过优化晶体生长工艺，研究人员制备出缺陷更少的高质量砷化硼晶体，其热导率表现显著优于早期样品。砷化硼材料不仅具备优异的热管理性能，还展现出良好的半导体特性。

相较于传统半导体材料，砷化硼具有更宽的带隙和更高的载流子迁移率。任志峰补充道：“这种新材料太棒了，它兼具半导体和热导体的最佳性能。”研究人员将继续优化砷化硼材料的制备工艺，进一步提升这种热管理材料的综合性能。这项关于砷化硼材料的研究成果，为下一代电子设备的热管理解决方案提供了新的技术路径。

更多信息： Ange Benise Niyikiza 等人，室温下砷化硼热导率超过 2100 瓦/米/开尔文，《今日材料》(2025 年)。期刊信息： 今日材料