中国科学院松山湖材料实验室与合作团队开发出新型二维半导体键合技术，该技术无需任何胶粘材料即可实现晶圆级的直接键合与解键合。这项二维半导体键合突破为高性能电子器件制造提供了新的技术路径。

研究团队提出的方法可在真空环境中直接实现二维材料层间结合，避免了传统胶粘材料对界面的污染。刘洁莹、赵娇娇及其合作者在论文中表示："该工艺可在真空和手套箱环境下进行，无需中间层辅助。它能制备出界面洁净、晶圆级均匀的堆叠式二维半导体，并可精确控制层数和层间扭转角。"

该二维半导体键合技术已成功应用于二硫化钼和二硒化钼等材料的异质结构制备，同时支持将单层材料直接键合至氧化铪等高介电常数衬底。研究人员证实，通过这种二维半导体键合方法形成的界面能保持材料固有电子特性。

这项发表于《自然·电子学》的二维半导体键合技术展示了可逆操作能力，为构建复杂堆叠结构提供了新方案。无胶粘材料的二维半导体键合工艺有望推动小型化、高性能晶体管及电子元件的开发进程。

更多信息： Jieying Liu 等人，《二维半导体的直接键合和解键合》，《自然电子学》(2025)。