韩国科学技术院(KAIST)研究人员取得重要突破，成功展示高效、超高分辨率红色微型LED显示屏，为呈现比现实更清晰视觉效果的显示屏发展铺平道路。微型LED作为新一代显示技术，在全彩显示所需红、绿、蓝三原色中，高性能红色微型LED实现难度最大，一直是该领域关键挑战。

此次研究由电气工程学院金相铉教授领衔，联合仁荷大学金大明教授、化合物半导体制造商QSI和微显示器/SoC设计公司Raontech共同开展。研究团队开发的红色微型LED显示技术，在大幅降低功耗的同时实现超高分辨率。利用该技术展示的1700 PPI级超高分辨率微型LED显示屏，分辨率比当前旗舰智能手机显示屏高出约3 - 4倍，在VR和AR设备中可提供真正“逼真”的视觉效果。

为解决红色微型LED面临的效率下降和传统转移工艺局限这两大挑战，研究团队采用AlInP/GaInP量子阱结构，让量子阱/势垒结构充当“能量势垒”，限制电子和空穴在量子阱层内，防止载流子泄漏，采用空穴浓度更高的量子阱降低能量损失，实现高效、低能量损耗的红色微型LED。同时，采用单片三维(3D)集成技术，将LED层直接堆叠在驱动电路之上，减少对准误差、降低缺陷率，实现稳定制造超高分辨率显示器，还开发低温工艺防止集成过程损坏底层电路。金相铉教授表示，这项工作解决了微型LED中红色像素效率和电路集成难题，会继续推进技术商业化。该研究由韩国科学技术院信息电子研究所朴柱赫博士担任第一作者。

出版详情： 作者： Juhyuk Park等人，标题：《基于 AlInP/GaInP 外延层的硅基单片三维集成红色微型 LED 显示器》，发表于：《自然电子学》(2025)