美国加州大学洛杉矶分校的研究人员开发了一种新方法，显著改善了电流在钙钛矿半导体中的传输效率。这项研究成果已发表在《自然材料》期刊上。

钙钛矿半导体是一种在下一代电子器件中具有潜力的新兴材料，适用于太阳能电池、传感器和光电探测器等领域。然而，金属电极与钙钛矿之间的界面问题常导致电接触不良，阻碍了电流的有效流动，限制了器件性能。

研究团队通过重新设计电接触结构，解决了这一瓶颈。他们采用了一种接触诱导的电荷转移掺杂策略，在金属电极下方创建了一个极薄的局部改性区域。这一过程涉及三个步骤：首先，使用范德华层状金属电极以减少对钙钛矿表面的损伤；其次，通过温和热退火使少量银扩散到近表面区域；最后，利用紫外光照射将银转化为氧化银纳米团簇。

这些氧化银纳米团簇作为电子受体，从钙钛矿中提取电子，形成局部p掺杂区域。这种改性将界面处的“阻塞”区域从约250纳米缩小到不足25纳米，降低了接触电阻，使电荷载流子能够通过量子隧穿过程更高效地穿过势垒。

这一突破有望推动钙钛矿电子器件的发展，实现更快的运行速度、更低的功耗和更高的可靠性。它标志着将钙钛矿从实验室研究转向实用技术的重要进展，并为其他新兴半导体材料的界面工程提供了新思路。

该研究的通讯作者是加州大学洛杉矶分校的段镶锋教授，第一作者为博士生周博轩和博士后研究员万来园。目前，这项工作尚处于概念验证阶段，但展示了钙钛矿半导体在电子器件应用中的广阔前景。

出版详情：作者：Nicole Wilkins, University of California, Los Angeles；标题：《Clearing the nanoscale bottleneck holding back next-gen electronics》；发表于：《Nature Materials》(2026)。