6月9日，中国台湾纯化合物半导体代工企业稳懋半导体股份有限公司宣布，其NP12-0B工艺已通过40V运行认证。该工艺为0.12微米栅长GaN-on-SiC氮化镓技术，面向功率放大器、T/R开关和单芯片前端MMIC等射频前端应用，可在高压缩脉冲和连续波条件下提升器件可靠性。

NP12-0B的核心变化在于把晶体管结构改进与更高电压运行能力结合起来。对于高频通信、卫星链路和雷达系统而言，射频前端不仅需要更高输出功率，也需要在复杂负载、深度饱和和高压缩工作状态下保持稳定。GaN-on-SiC路线具备高功率密度和较好散热特性，适合用于高功率微波和毫米波器件。此次40V运行认证完成后，稳懋可为客户提供更宽的射频前端设计空间，使功率放大、收发切换和低噪声前端能够在同一工艺平台上获得更高集成度。

该工艺平台还给出了多项性能指标。在18GHz、40V条件下，面向最大功率调校的输出晶体管可实现7.9W/mm饱和输出功率，增益为13.3dB，功率附加效率为42%;若面向更高功率附加效率调校，同一功率单元可实现6.1W/mm饱和输出功率，增益为14.6dB，功率附加效率达到55%。在开关配置中，共栅器件插入损耗低于0.4dB，功率承受能力超过42dBm，40V控制电压下开关速度低于20ns。

这类工艺进展对化合物半导体产业具有较强指向性。随着5G-A、卫星通信、相控阵雷达、低轨卫星终端和高频无线基础设施持续发展，射频前端正在同时面对高输出、高效率、小型化和高可靠性要求。传统单一器件性能提升已不足以满足系统设计需求，代工厂需要在工艺平台层面提供功率、效率、开关、低噪声和封装可靠性的组合能力。NP12-0B通过40V运行认证后，可帮助客户开发更紧凑的前端模块，减少分立器件数量，提高系统集成水平，并为下一代无线接入网、卫星通信和雷达设备提供更高功率密度的芯片基础。

稳懋半导体此前已推动NP12-0B平台进入生产阶段，并提供增强湿度坚固性选项，以满足塑封应用对湿气可靠性的要求。面向功率放大器、开关和低噪声放大器设计的40V工艺设计套件，将在2026年第二季度开放客户下载。后续节点包括客户基于新版PDK完成产品设计、样片验证和模块导入，以及该工艺在通信基础设施、卫星通信和雷达前端中的实际采用进度。若相关客户验证顺利，稳懋将在高功率射频GaN代工市场继续扩大技术覆盖面。