10月22日，中国中微半导体设备（上海）股份有限公司宣布，自主研发的Primo Domingo气相高选择性刻蚀设备全球首台机已付运国内一家重要集成电路研发制造客户。该设备面向环绕栅极晶体管、三维闪存和三维动态随机存取存储器等先进半导体器件制造工艺，主要用于高选择性材料刻蚀。

Primo Domingo采用全对称腔体结构与优化流场设计，将气体注入、温度控制和压力调控集成于刻蚀工艺系统，以提高晶圆表面的刻蚀均匀性与工艺重复性。设备配置集成式气柜，缩短气体输送路径，支持脉冲气体的快速精密控制。针对高活性刻蚀气体的使用条件，内部管路采用高抗腐蚀材料及特殊涂层，以满足长期运行要求。

晶圆温控系统采用双制冷、双加热基座设计，能够在较宽温度范围内进行精密调节。设备同时搭载中微公司已实现量产应用的Primo C6V3晶圆传输系统，可配置主刻蚀腔及辅助退火腔，支持不同材料和器件结构的刻蚀工艺。

根据中微公司此前披露的研发数据，Primo Domingo在实验室GAA及三维动态随机存取存储器相关工艺验证中，实现了大于700:1的锗硅与硅刻蚀选择比。该指标属于前期实验室验证结果，尚不能视为此次交付设备在客户生产线上的实测性能。公司2026年半年度报告披露，该设备此前已在实验室Alpha腔开展多项工艺验证。此次首台机付运是继产品研发及实验室验证之后的新增交付节点。

中微公司于2026年3月首次发布Primo Domingo产品。目前，其刻蚀设备产品覆盖65纳米至3纳米及更先进制程的多种刻蚀应用，介质刻蚀设备已实现60:1至90:1的深宽比，硅刻蚀设备最高达到140:1。截至2026年6月底，公司累计已有超过8800个反应台在国内外220余条生产线上投入量产应用。