德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer ISE)近日取得光伏技术重要突破，其研究团队证实采用非对称n型和p型隧道氧化物钝化接触(TOPCon)层可实现原位吸杂，显著提升外延生长硅晶片(EpiWafers)的材料质量。这项创新技术有望推动低碳太阳能电池的大规模生产。

研究负责人Clara Rittmann表示："关键发现是EpiWafers无需预吸杂步骤即可直接用于电池制造，当电池设计包含原位吸杂工艺时，n型和p型层能有效发挥吸杂作用。"团队测试显示，1.3 Ωcm外延晶圆的载流子寿命从初始100μs提升至1ms以上，性能参数与浮区晶圆相当。

该研究采用德国NexWafe公司的外延生长硅晶圆，结合TOPCon2层原位吸杂技术，预计可制造转换效率超30%的钙钛矿硅叠层太阳能电池。Rittmann强调，这一概念验证与工业化实现的结合"前景广阔"。目前弗劳恩霍夫ISE高效太阳能电池中心正基于该研究进行底部太阳能电池的制造开发。