Sivers与SemiNex启动约340万美元InP光源计划，2027年下半年量产

维度网讯，Sivers Semiconductors与SemiNex宣布启动一项面向AI数据中心互连的新一代磷化铟（InP）光源计划，初始合同价值约340万美元。Sivers Semiconductors为光子学与无线技术企业，SemiNex则专注于高功率InP激光二极管、DFB激光器、半导体光放大器（SOA）及外腔激光器的开发。

该计划聚焦三类应用方向：共封装光学（CPO）所需的高功率外置激光源、用于波分复用链路的高通道数DFB阵列，以及用于延长光学传输距离的SOA增益级。随着光学元件从面板级向封装级迁移，每波长功率、电光转换效率和热稳定性对架构可扩展性的影响日益显著，光源已从组件选型问题上升为系统级设计问题。

客户送样和早期量产爬坡目标定在2027年下半年。

Sivers Semiconductors首席执行官Vickram Vathulya表示，AI工厂中下一代光网络所需的高级光源与计算、内存和硅光子元件同样关键，公司重视与SemiNex的合作，希望通过结合双方技术向市场规模化供应有竞争力的光源解决方案。

SemiNex首席执行官Ronald Moore指出，光学层正成为AI基础设施扩展的制约因素，行业需要在更多波长上获得更高功率和更高效率，仅靠加大现有器件工作强度无法实现这一目标，这些提升源于InP本身的设计和工艺改进，这正是双方团队合作的重点。