三菱化学宣布进军半导体超高纯度胶体二氧化硅，2028年九州工厂投产

三菱化学株式会社宣布将进军超高纯度胶体二氧化硅业务，计划在福冈县北九州市九州工厂（福冈厂区）内新建生产设施，预计2028年10月投入商业运营。项目投资额达数十亿日元。该材料是半导体化学机械抛光（CMP）研磨液的核心原料，用于硅片表面抛光及互连层平坦化。

胶体二氧化硅在半导体制造中不可或缺。CMP是芯片制造的关键工艺，通过化学腐蚀与机械研磨相结合的方式，实现晶圆表面的纳米级平坦化。随着半导体工艺不断微缩和分层化，对抛光材料的纯度、颗粒均匀性和表面缺陷控制提出极高要求。此次三菱化学商业化的超高纯度胶体二氧化硅，纯度达6N级（99.9999%），以超高纯度四甲氧基硅烷为原料，采用一体化生产工艺，最大限度降低杂质含量。公司可依托多年积累的合成石英制造技术，根据客户需求定制颗粒的粒径、密度和形状等参数。

超高纯度胶体二氧化硅是CMP抛光液中占比最大的磨料，广泛应用于大硅片精抛、前道多晶硅栅极抛光、后道铜互连及钨插塞抛光，以及先进封装抛光等关键制程。全球市场长期由日本扶桑化学、赢创、卡博特、诺力昂等少数企业垄断。三菱化学此前已在半导体材料领域拥有合成石英粉和光刻胶树脂等产品线，此次进军CMP抛光材料领域，将进一步拓展其半导体材料产品组合。

三菱化学表示，生成式人工智能、数据中心和高性能计算的快速发展将持续拉动半导体需求，晶圆制造对高纯度胶体二氧化硅的需求也将随之增长。该项目符合公司“KAITEKI Vision 35”长期经营战略中“赋能高级数据处理与通信”的核心方向。日刊工业新闻指出，扶桑化学目前在超高纯度胶体二氧化硅市场占据较高份额，半导体需求扩大促使客户推进采购渠道多元化，三菱化学据此决定切入该领域。