印度电子和信息技术部长阿什维尼·瓦伊什纳夫近日透露，政府正在完善设计相关激励（DLI）计划的第二阶段细节。该计划将重点支持六大关键半导体类别的研发与制造，目标是在未来实现跨行业电子系统80%的本土化生产。

瓦伊什纳夫表示，DLI 2.0计划将涵盖计算、射频、网络、电源管理、传感器和存储器这六大半导体类型。他指出：“通过掌握这六大类别，我们可以构建无人机、汽车、航天等各类主要系统。每个行业都需要这些芯片的组合，掌握了它们，我们就能自主完成80%的工作。”

该计划还将支持在印度建立50家无晶圆厂半导体公司，预计未来几年全球一半的半导体设计工作将在印度进行。瓦伊什纳夫在与24家已获DLI批准的初创企业会面时强调：“到2035年，印度应该成为全球前四大半导体国家之一。产业界已经认识到这一趋势。”

作为印度半导体使命（ISM）第二阶段的重要组成部分，DLI 2.0计划包含提升制造能力的具体目标。瓦伊什纳夫表示，到2032年，印度将具备2纳米芯片的制造能力。“随着我们进入2029年，我们将能够制造和设计国内所需70-75%的应用芯片。”他补充说，政府已研究韩国、台湾和日本的经验，并制定了相应战略。

在具体实施方面，政府所有的莫哈利半导体实验室将继续优化其180纳米工艺，而塔塔集团在古吉拉特邦多尔拉建设的晶圆厂预计将生产28纳米高性能计算芯片。自2021年12月启动以来，DLI计划已为芯片设计者提供资金和基础设施支持，已有18家初创公司完成芯片设计的流片或概念验证。

官方数据显示，目前已有122个设计完成流片，其中56个芯片采用180纳米工艺制造。初创公司在先进代工节点完成了16次流片，生产了6个芯片。此外，学术机构和初创公司共提交了85项专利申请。

在人才培养方面，作为十年培养8.5万名人才计划的一部分，已有6.7万名学生接受了半导体技术培训。瓦伊什纳夫还宣布，印度将设立年度深度科技奖，首届奖项计划于今年11月或12月颁发，涵盖半导体、人工智能、生物学和航天等领域。