由香港科技大学工程学院主导的研究团队，在量子棒发光二极管(QR-LED)领域取得关键进展，红色QR-LED峰值外量子效率(EQE)达31%，峰值亮度突破110,000 cd/m²，刷新同类研究纪录。该成果发表于《先进材料》期刊，为下一代显示与照明技术提供新路径，有望提升智能手机、电视等设备的视觉体验。

传统发光二极管(LED)技术中，量子点发光二极管(QD-LED)虽以高色彩纯度著称，但光提取效率受限，阻碍性能提升。量子棒作为QR-LED的核心材料，其细长各向异性结构可优化光发射方向，理论上具备更高效率潜力。然而，量子棒面临两大技术瓶颈：一是光致发光量子产率较低，二是薄膜质量差导致漏电流严重。研究团队通过改进合成工艺，制备出量子产率高达92%的绿色与红色量子棒，并实现尺寸均匀分布与形状精准控制，为优化QR-LED性能奠定基础。

针对漏电流问题，团队构建等效电路模型，揭示传统结构中泄漏电流对光耦合效率的负面影响。基于模型分析，团队对QR-LED器件结构进行策略性改造，通过增强载流子注入平衡与抑制漏电流，实现双重突破。实验验证，优化后的红色QR-LED不仅效率显著提升，绿色“点状棒状”量子棒器件也取得峰值EQE 20.2%、亮度250,000 cd/m²的成果，证明技术策略的普适性。

研究通讯作者Srivastava教授指出：“QD-LED的优化方法不适用于细长量子棒，因其形状导致发光层存在大量针孔，引发严重漏电流。通过改进器件结构，我们解决了质量问题，并验证了量子棒相对于量子点的根本优势。”这一发现为各向异性纳米晶体研究提供理论指导，加速其商业化进程。

更多信息： Zebing Liao 等人，《用于高效高亮度量子棒状 LED 的反向器件工程》，《先进材料》 (2025)。期刊信息： 先进材料