芬兰于韦斯屈莱大学与阿尔托大学的研究团队近期开发了一种基于激光改性的新方法，能够实现金属有机材料在特定位置以分子层精度生长。这项技术发表在期刊《ACS Nano》上，为材料科学领域提供了新的应用途径。

原子层沉积（ALD）是一种常用于半导体行业的技术，由芬兰科学家Tuomo Suntola于上世纪70年代发明，用于制造高质量薄膜。传统的ALD方法通常生产无机材料，如氧化锌或氧化铝，但研究人员现在探索分子层沉积，结合有机和无机前驱体来定制材料特性。

于韦斯屈莱大学的Mika Pettersson教授指出：“如果薄膜能在选定区域生长，其适用性将显著提升。区域选择性ALD是当前研究的关键方向，我们的新方法实现了这一点。”该方法利用激光改性石墨烯，将羟基引入特定区域，使铕有机薄膜仅在功能化位置选择性形成，因为纯石墨烯表面不与起始材料反应。

这项激光改性石墨烯技术通过结合于韦斯屈莱大学的石墨烯处理专长和阿尔托大学的分子层沉积知识，实现了区域选择性分子层沉积。阿尔托大学的Maarit Karppinen教授强调：“我们使用发光有机铕材料作为示例，但这种方法适用于多种薄膜材料，为未来应用打开了广阔前景。”研究人员希望与企业合作，推动这项技术向实际应用发展。

出版详情：作者：University of Jyväskylä；标题：《Laser-modified graphene enables molecule-thick films to grow only where needed》；发表于：《ACS Nano》(2026)。