韩国科学技术高等院团队开发硅基振荡伊辛机
2026-05-07 08:40
来源:韩国科学技术研究院(KAIST)
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韩国科学技术高等院(KAIST)电气工程学院崔杨圭教授与金尚贤教授联合团队,近日在《科学进展》发表研究成果,宣布成功开发出基于传统硅半导体工艺的振荡伊辛机。该设备通过多振荡器同步实现组合优化问题的快速求解,适用于物流路线规划、金融组合构建及半导体电路设计等领域,为现有制造线直接部署专用优化硬件提供了可行方案。

一台使用硅振荡器和耦合器的老化机。

研究团队聚焦周期性电信号振荡器,通过单硅晶体管实现振荡器与耦合器的集成,显著降低元件间频率偏差并提升连通性。实验中,该设备成功解决了最大割问题——一种将网络划分为两组以最大化连接数的典型组合优化问题。崔杨圭教授指出:“传统方法依赖精确控制振荡器频率差,而我们的技术通过硅基工艺实现了多能级耦合,使问题权重反映更精准,解搜索效率大幅提升。”

该硬件的核心优势在于兼容CMOS工艺,无需特殊材料或非标准生产线,可直接在现有半导体工厂大规模生产。研究团队强调,这一特性将加速技术从实验室到工业场景的转化,尤其在半导体设计自动化、通信网络优化等需大规模组合优化的领域潜力显著。金尚贤教授补充:“随着晶体管微型化接近物理极限,探索新功能成为关键。此次研究验证了晶体管作为振荡器的第三功能范式,为未来硬件设计提供了新方向。”

从历史视角看,晶体管技术历经开关、放大器两大阶段,此次突破被定义为“第三波”——晶体管作为振荡器。这一范式转变不仅拓展了半导体应用边界,也为信息通信领域低功耗、高实时性优化任务提供了硬件支撑。

出版详情:作者:Seong-Yun Yun Yun等,标题:《完全由硅晶体管组成的可扩展伊辛机》,发表于:Science Advances(2026),期刊信息:科学进展

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