碳化硅器件由于其材料自身的特性(宽禁带宽度,高击穿场强,低导通电阻,低热阻等),相较于硅级元器件适用于高结温、高击穿电压、高功率、大电流等,满足了电力电子行业新的发展需求。 o 碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)
超快开关速度,极小反向恢复电流,大大降低开关损耗从而实现卓越能效。 o 碳化硅场效应管(SiC MOSFET)
低损耗、更快的开关速度、高阻断电压,适应于高温环境下工作,可实现整个系统小型化。 o 碳化硅功率模块(SiC Power Module) 多个碳化硅芯片模块化集成封装,进一步提升了碳化硅功率器件的电流容量,相对于Si级功率模块,开关损耗及体积均大幅下降,其高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有能源转换效率。


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