氮化镓器件
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产品介绍

氮化镓异质结材料具备宽禁带宽度、高击穿场强、高电子饱和速度等优秀特性,是制作大功率微波器件的理想材料。

氮化镓微波二极管(GaN SBD)

氮化镓微波二极管是整流、限幅、检波、开关等微波电路的核心器件。大功率微波二极管是当前微波传能接收端整流、抗大功率微波损伤限幅器等急需的核心器件。宽禁带半导体氮化镓在微波大功率方面具有得天独厚的优势。

应用领域

o微波、毫米波接收器件,广泛应用在通信、雷达、导航、电子对抗、空间技术、测控和航空航天等领域中。

o混频器,广泛用于生产、保安、野外工程等领域的小范围移动通信工程中。

o检波器,广泛应用于标量网路分析仪、六端口网络、微波瞬时接收机等系统中。

o限幅器,广泛应用雷达通信的核心模块。

技术参数

GaN SBD

序号

型号

最小阻断电压VBR(V)@IR=100μA

最大正向电压VF(V)@Ir=1mA

最小正向电流IF(mA)@VF=1.5V

典型动态阻抗RD(Ω)@IF=50mA

封装形式

1

SAG1D040100

40

0.5

50

10

裸芯

2

SAG1D040050

100

5

3

SAG1D040035

150

3.5

4

SAG1D040025

200

2.5

5

SAG1D040020

250

2

6

SAG1D040018

300

1.8

7

SAG1D080120

80

0.5

50

12

8

SAG1D080060

100

6

9

SAG1D080040

150

4

10

SAG1D080030

200

3

11

SAG1D080025

250

2.5

12

SAG1D080020

300

2