Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS）近日发布了两款新型MOSFET器件AONC40202（25 V）和AONC68816（80 V），专为高功率密度应用设计，如人工智能服务器和数据中心电源系统中的中间总线转换器（IBCs）。这些器件采用DFN 3.3 × 3.3 mm封装，具备双面冷却和源极朝下配置，以优化热管理。

双面冷却封装技术通过允许热量从顶部和底部同时散发，有效降低了热阻，相较于传统单面冷却设计。器件使用大型顶部夹结构进行漏极连接，最大顶部热阻约为0.9 °C/W，提升了在高电流应用中的性能。

AONC40202额定电压为25 V，支持高达405 A的连续电流和最大结温175 °C，适用于高电流、低电压电源级，强调热效率和可靠性。AONC68816额定电压为80 V，补充了更高电压级的产品线，支持多样化的电源架构需求。

两款MOSFET采用中心栅极引脚布局，减少了栅极环路寄生参数，简化了PCB布线，实现更紧凑的设计。源极朝下配置增大了源极与PCB的接触面积，进一步改善了电气和热性能。

这些器件旨在用于AI服务器电源系统中的高效DC-DC转换级，随着计算密度增加，对电流和热管理的要求更严格。双面冷却与紧凑封装的结合有助于实现更高功率密度，确保在苛刻操作条件下的稳定运行。

AONC40202和AONC68816已进入量产阶段，典型交货期为14至16周。