维度网讯，微芯科技（Microchip Technology）推出了一款新型3.3 kV HV D3 mSiC®功率模块，该模块专为支持超大规模AI数据中心及其他高压电力系统中的固态变压器（SST）架构而设计。模块将3.3 kV碳化硅（SiC）mSiC MOSFET和肖特基二极管集成于标准62 mm封装中，可直接实现中压到机架的功率转换，旨在提升效率并降低系统复杂性。

随着AI基础设施的扩展，功率可用性和能效已成为最大化令牌生成和降低运营成本的关键因素。传统基于低频变压器的配电架构引入了额外的转换级、更高的损耗和更大的系统占地面积。固态变压器通过实现更高效的中压直流配电并减少转换级数，解决了这些限制。

Microchip的HV D3 mSiC模块旨在满足此类系统的热和电气要求。这些器件采用mSiC MOSFET技术，在不同温度变化下具有稳定的RDS(on)性能。封装支持6 kV隔离，采用CTI 600材料，并提供扩展的爬电距离以确保高压串联运行安全。此外，氮化硅衬底提高了导热性和功率循环可靠性，从而在降低冷却需求的同时支持更高的功率密度。

这些模块提供半桥和共源配置，可选配反并联肖特基二极管，面向100 A至300 A范围内的应用。mSiC MOSFET的开关特性支持高频SST系统中常用的硬开关和软开关拓扑。

除AI数据中心外，新功率模块还计划用于兆瓦级电动汽车充电基础设施、铁路和重型运输辅助电源系统、中压电机驱动器，以及需要高效高压功率转换的工业和国防应用。

3.3 kV mSiC功率模块配套提供应用笔记、设计指南和仿真模型，以加速开发和原型设计阶段。

该模块现已可提供生产数量。

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