维度网讯，纳微半导体在2026年台北电脑展期间，展示了用于NVIDIA MGX平台的800伏转6伏直流-直流供电板，该产品采用GaNFast技术，可省去服务器托盘内传统的48伏中间总线转换器级，提升系统效率、可靠性并节省空间。

该供电板采用16颗额定电压650伏、导通电阻11毫欧的GaNFast FET，采用最新的DFN8×8双冷却封装，目标峰值效率为97.5%，工作频率1兆赫兹，功率密度达到2100瓦每立方英寸。其超薄外形比手机厚度薄约20%，可与图形处理器板极近距离集成，以优化瞬态性能并提升配电效率。

纳微半导体总裁兼首席执行官Chris Allexandre表示，随着人工智能工作负载持续扩展并驱动前所未有的计算需求，供电已成为实现下一代吉瓦级人工智能工厂的关键挑战。通过与NVIDIA MGX生态系统合作，纳微正在提供氮化镓和碳化硅功率技术，使兆瓦级人工智能服务器机架具备更高功率密度、更小系统占用空间及改善的热性能，助力加速向更高效、可扩展的人工智能基础设施过渡。

纳微半导体提供全面的宽禁带功率技术产品组合，为下一代人工智能工厂基础设施奠定基础。其GeneSiC碳化硅解决方案支持从电网到计算机架的高效供电，涵盖固态变压器等关键应用，产品包括超高压2300伏与3300伏碳化硅功率模块，以及基于最新第五代技术的1200伏碳化硅MOSFET的高功率三相电源单元。这些技术共同帮助数据中心提升效率、功率密度并增强系统可靠性。

纳微的GaNFast技术可实现高频、高效的直流-直流电源转换，以支持人工智能图形处理器快速增长的电能需求。利用氮化镓卓越的开关性能，该解决方案能在兆赫兹级频率下运行，提供更高功率密度与更快瞬态响应，使电力可从机架级别直接高效输送到图形处理器。

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