维度网讯，SemiQ公司（SemiQ Inc）扩展了其QSiC™ Dual3半桥MOSFET模块系列，新增采用氮化铝（AlN）衬底和预涂导热界面材料（TIM）的高热性能选项，以及1700 V器件。该系列面向AI数据中心电源系统中的AC-DC转换器和固态变压器（SST）、储能系统中的电网转换器，以及工业电机驱动器等应用。

该系列模块可用于构建具有行业领先转换效率和功率密度的电源转换器。系列中包含可选并联肖特基势垒二极管（SBD）的器件，用于降低开关损耗并提高高温环境下的效率。部分器件导通电阻（R_DSon）低至1 mΩ，功率水平为1150A、1200V，封装尺寸为62 x 152 mm。

该模块设计用于直接替换IGBT模块，无需进行大幅重新设计。所有MOSFET芯片均经过超过1450 V的晶圆级栅氧化层老化测试。模块具有低结壳热阻，可使用更小、更轻的散热器，从而简化系统设计。

SemiQ总裁Timothy Han博士表示，数据中心需要连续24小时运行，最大化效率至关重要。该系列具有灵活设计和行业领先的功率密度，支持液体冷却应用中的有源前端和压缩机驱动器，与传统硅IGBT解决方案相比，能够减小尺寸和重量，并提供SiC的全部效率。

Timothy Han博士补充说，借助新的高热性能选项，这些模块也被设计到主AC-DC电源转换器和SST中。这实现了从中压13.8 kV或35 kV AC直接转换为高压800 V DC，满足现代数据中心电源系统对超高效运行的需求。

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