近日，韩国原子能研究院先进放射线研究院与浦项技术大学联合宣布，在抗辐射半导体技术方面取得重要突破。双方合作开发出一种新技术，可使半导体抵抗宇宙射线中80%以上的质子辐射，为下一代空间半导体的研制提供了有力支持。

据悉，该技术的核心在于利用原子层沉积法在氧化锌(ZnO)基纳米半导体表面沉积了一层10纳米(nm)厚的氧化铝(Al₂O₃)钝化层。这一钝化层在物理上将半导体表面与外界隔离，有效阻挡了大气中的水和氧气，从而大幅抑制了质子引起的纳米半导体误差。

为验证这一技术的有效性，研究人员利用质子加速器对有和无钝化层的半导体进行了质子辐照实验，并比较分析了电气特性的变化。结果显示，受钝化层保护的半导体在质子辐照后，阈值电压变化降低了60%，磁滞指数和应力指数变化降低了90%，噪声值更是保持不变。这一结果表明，钝化层非常有效地抑制了质子照射引起的半导体电性能的变化。

韩国原子能研究院放射聚变研究部姜昌九博士团队与浦项科技大学李秉勋教授团队共同参与了此次研究。双方利用各自的优势，由研究院负责半导体生产和质子辐照实验，浦项科技大学则负责分析电气特性变化。该研究得到了科学和信息通信技术部科学与工程基础研究项目的支持，研究成果已发表在国际学术期刊《纳米融合》1月号上。

未来，研究团队计划进一步完善辐射影响评估分析体系，深入阐明半导体抗辐射技术的具体机制，并继续开展各电路级抗辐射半导体的研究。韩国原子能研究院先进放射线研究所所长郑秉烨表示，该技术是利用原子层沉积法在新一代纳米半导体上沉积钝化层的成功案例，实际验证了耐放射线效果。他强调，研究院将继续努力，确保韩国在航天半导体技术竞争中占据优势地位。