英特尔1.8nm制程细节曝光
2025-05-02 14:07
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英特尔在2025年VLSI研讨会上披露了更多关于其最新的Intel 18A(1.8nm)制程的细节。

最新资料显示,Intel 18A提供了高性能(HP)和高密度(HD)库,具有全功能的技术设计功能和增强的设计易用性。
在PPA(性能、功耗、面积)比较中,Intel 18A在标准Arm核心架构的芯片上,1.1V电压下实现了25%的速度提升和36%的功耗降低。此外,Intel 18A的面积利用率比Intel 3更高,这意味着该制程可以实现更好的面积效率和更高密度设计的潜力。
英特尔官网此前公布的资料显示,Intel 18A采用了RibbonFET环绕栅极晶体管(GAA)技术,可实现电流的精确控制,同时还率先采用了业界首创的PowerVia背面供电技术。
英特尔还展示了电压下降图,描绘了高性能条件下节点的稳定性,由于Intel 18A的PowerVia供电技术,该制程能够提供更稳定的电力传输。
比较显示,通过背面供电技术,英特尔实现了更紧密的单元封装,并提高了面积效率,这主要是因为相比正面布线释放了更多空间。
从目前披露的信息来看,如果良率没有问题,Intel 18A制程将成为台积电2nm制程的有力竞争者。市场预计,Intel 18A将首先应用于Panther Lake SoC和Xeon的Clearwater Forest CPU,预计最早在2026年看到终端产品的出现。
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