美国安靠科技获英伟达13亿美元协议扩大韩国芯片封装产能

10月21日，美国半导体封装测试企业安靠科技宣布与英伟达达成价值13亿美元的新协议，扩大韩国先进半导体封装产能。加上双方此前在美国亚利桑那州的合作协议，两家公司在美国和韩国签署的多年期协议总额已达30亿美元。此次扩产面向新一代人工智能芯片及加速计算平台，重点增加用于芯片先进封装的中介层晶圆产能。

根据英伟达同日发布的供应链扩产计划，安靠科技将在韩国扩大先进封装制造能力，目标是在2028年底前将中介层晶圆产能提高300%以上。扩产安排还涉及在韩国开发新的制造设施，为英伟达现有及下一代计算平台增加封装产能。

双方此前于2026年7月23日签署一项15亿美元的多年期先进封装与技术开发协议，英伟达通过预付款支持安靠科技扩大美国亚利桑那州先进封装产能。该合作涉及高密度互连、异构集成以及半导体封装测试技术开发，与本次韩国扩产共同构成双方跨地区制造安排。

安靠科技9月8日还公布了亚利桑那州先进封装与测试园区二期扩建计划，新增约6万平方米洁净室，使园区规划洁净室总面积达到约9.3万平方米，项目规划投资提高至约120亿美元。该园区规划涵盖晶圆凸块、晶圆测试、芯片组装及成品测试等制造环节。

本次13亿美元协议采用与制造产能扩张相配套的预付款安排，英伟达通过提前锁定供应商产能支持其后续芯片生产需求。双方未在10月21日公告中公布韩国新增设施的具体投资分项、工厂地址及单条生产线投产日期。