SK海力士今年有望实现重大投资飞跃。其计划投资超过20万亿韩元(约137亿美元)，用于设施扩建，重点是高带宽存储器(HBM)生产。这对该公司来说是一个历史性的里程碑，因为它从未超过20万亿韩元的投资大关。该公告是在去年年度业绩报告电话会议期间宣布的，SK海力士强调了与上一年相比增加投资规模的承诺，特别是在HBM领域。

半导体行业是众所周知的周期性行业，在高需求和低迷时期受到技术进步和全球经济状况的影响。SK Hynix的战略举措是在对HBM等先进内存解决方案的需求激增的时候，这是由大型科技公司在人工智能和数据中心技术方面的投资推动的。作为向NVIDIA提供8层和12层HBM3E产品的主要供应商，SK海力士在这个不断增长的市场中处于有利地位。

行业和证券消息人士预计，SK海力士的设施投资可能超过20万亿韩元的初始预期，可能达到约27万亿韩元。三星证券估计，今年的设施投资将达到21万亿韩元，而Hana Securities预计，以DRAM为重点的投资，包括向1a·1b DRAM nano过渡和HBM等先进DRAM技术的过渡，将达到约27万亿韩元。

这一激进的投资策略旨在巩固SK海力士新获得的DRAM市场份额领导者地位。根据市场研究公司Counterpoint Research的数据，SK海力士在今年第一季度的DRAM销售额中占据了36%的市场份额，超过了三星电子34%的份额。高价值的HBM在SK海力士的崛起中发挥了重要作用。

“投资规模将比去年增加，重点是HBM领域”SK Hynix在电话会议上表示。这一重点与公司扩大生产能力和保持竞争优势的更广泛战略相一致，因为人工智能和大数据技术对快速数据处理解决方案的需求不断增加。

SK海力士的历史投资模式为理解今年计划支出的重要性提供了背景。2017年，该公司首次投资超过10万亿韩元。随后在2018年半导体超级周期期间和2022年COVID-19大流行驱动的繁荣期间进行了大量投资。由于人工智能数据中心投资的爆炸性需求，去年的投资达到了近18万亿韩元。