日本三菱化学与JSW计划2027年前将氮化镓产能扩大50%

维度网讯，三菱化学与日本制钢所（JSW）计划将氮化镓（GaN）产能扩大50%，以应对来自电动汽车、逆变器及数据中心电源的旺盛需求。该扩产计划由《日经新闻》已于7月7日披露。

两家公司长期合作研发功率半导体用自支撑氮化镓衬底，三菱化学负责籽晶与材料工艺研发，JSW依托其室兰工厂完成衬底制造。今年4月，双方已将衬底与晶种产能提升至2021年度的2倍。按最新规划，到2027年4月产能将进一步扩增至2021年度的3倍，即较2026年增加50%。

与传统的硅材料相比，GaN能承受更高的电压；与碳化硅（SiC）相比，GaN具备高速控制电流、抑制电力损耗等特性。目前，双方生产的4英寸GaN基板仍处于客户验证阶段。为匹配行业晶圆大尺寸化趋势，企业已制定清晰的迭代时间表，计划在2026年度开始提供6英寸基板样品，2028年度开始提供8英寸基板样品。