维度网讯，纳维塔斯半导体（Navitas Semiconductor）与美格纳半导体（Magnachip Semiconductor Corporation）宣布建立战略合作伙伴关系，美格纳将获得纳维塔斯GeneSiC沟槽辅助平面（TAP）技术的授权，以加速碳化硅（SiC）技术在高压（HV）和超高压（UHV）电力市场的应用。

根据协议，美格纳获得的授权涵盖1200V、2300V、3300V及更高电压等级的GeneSiC技术。美格纳计划在纳维塔斯成熟的SiC器件平台基础上，开发用于下一代电力转换的应用产品。纳维塔斯将向其提供SiC供应链和材料支持，以助其更快进入市场。双方预计，在美格纳位于韩国的制造工厂进行技术移植、认证和内部化后，这一合作将加速美格纳进入SiC领域，同时保持与纳维塔斯现有技术及材料基础的连续性。

获授权技术预计将支持包括能源和电网基础设施、储能、工业电气化、汽车及其他高功率系统在内的下一代应用。纳维塔斯与美格纳指出，SiC技术直接影响电动汽车、可再生能源、人工智能数据中心和航空航天等领域，但两家公司的合作范围不止于此。双方在新闻稿中表示，合作的完整范围“预计将在稍后详细公布”。

纳维塔斯总裁兼首席执行官克里斯·阿勒克桑德雷（Chris Allexandre）表示，此次战略合作反映了公司在高压和超高压电力市场扩大GeneSiC应用的长期愿景。通过技术授权及供应链和材料生态系统的支持，双方正在开辟一条更快扩展先进SiC解决方案的道路，并促进两者之间更深入、更长期的合作。美格纳首席执行官李采（Chae Lee）称，该协议为美格纳在高压和超高压SiC领域开辟了重要的新市场机会，GeneSiC技术的加入补充了其现有的MOSFET和功率半导体产品组合，使其能够服务需要更高效率、更高电压能力和更可靠电力转换解决方案的客户。

纳维塔斯半导体专注下一代功率半导体领域，特别是氮化镓（GaN）和高压碳化硅（SiC）技术，推动人工智能数据中心、高性能计算、能源和电网基础设施及工业电气化等领域的创新。美格纳半导体则设计和制造用于工业、汽车、通信、消费和计算领域的模拟和混合信号功率半导体平台解决方案。双方总结认为，此次合作旨在加速高压和超高压碳化硅技术的应用，通过技术授权、供应链支持及在美格纳韩国工厂的技术认证，支持多个高功率市场的下一代电力转换应用。