韩国OCI将高纯磷酸产能扩至3万吨/年

9月29日，韩国OCI宣布参与全北特别自治道群山、益山、完州半导体化学材料专业产业集群建设，并作为群山地区核心企业推进超高纯半导体材料扩产。OCI群山工厂半导体级磷酸现有产能为2.5万吨/年，公司将通过去瓶颈改造新增5000吨/年产能，使总产能提升至3万吨/年，增幅20%。

群山工厂目前同时生产半导体级多晶硅和高纯磷酸，其中半导体级多晶硅产能为4700吨/年。高纯磷酸主要用于晶圆蚀刻，可应用于DRAM、NAND Flash及晶圆代工生产。OCI自2007年进入半导体级磷酸业务，目前已向三星电子、SK海力士、SK keyfoundry和DB HiTek等韩国主要半导体制造企业供货。

此次扩产采用现有装置去瓶颈方式实施，通过工艺优化提升设备利用率和有效产出，不新增独立大型生产线。OCI此前已将5000吨/年去瓶颈项目纳入2026年扩产计划，新增能力投产后，群山工厂半导体级磷酸年产能将由2.5万吨提升至3万吨。

OCI在益山还运营半导体级过氧化氢生产基地，该材料用于半导体清洗和蚀刻工艺。公司自1979年在益山实现过氧化氢商业生产，目前为韩国第二大过氧化氢生产商，并同步开发特种蚀刻液等新型半导体化学材料。

群山、益山和完州此次被纳入韩国第三期半导体化学材料专业产业集群。未来5年，相关集群计划获得约450亿韩元政府支持和约8300亿韩元民间投资，重点建设高纯化学材料、半导体材料生产和配套基础设施。OCI还计划推进半导体封装用晶圆再生业务，目标于2027年上半年实现商业化生产。