日本东北大学创新集成电子系统中心(CIES)的研究人员近日在存储设备技术领域取得了重大突破，成功实现了特定类型存储设备的全球最低写入功率。这一发现不仅展现了该设备惊人的能效，还预示着存储设备技术或将迎来革命性进步，为打造更环保、更高效的未来提供了有力支持。

随着技术的飞速发展，市场对高性能集成电路(IC)的需求日益增长。然而，目前广泛使用的SRAM和DRAM在待机模式下仍会消耗电力，存在较大的改进空间。在此背景下，磁阻随机存取存储器(MRAM)作为一种潜在的解决方案，凭借其利用磁性保持高性能且功耗不高的特点，受到了广泛关注。特别是自旋轨道扭矩磁阻随机存取存储器(SOT-MRAM)，更被视为有望彻底取代SRAM的新技术。

为了进一步提升SOT-MRAM的性能，2019年，由CIES主任Tetsuo Endoh教授和前校长Hideo Ohno教授领导的研究团队展示了一种无需外部磁场辅助的倾斜SOT-MRAM技术，实现了低至0.35ns的高速写入。如今，该团队再次取得突破，成功推进了倾斜SOT器件的结构和磁特性设计技术，通过微磁模拟降低了写入功率。

Endoh教授表示：“我们之前的研究解决了需要外部磁场辅助的问题，现在的研究则旨在解决写入功率的问题。”研究团队在采用300毫米晶圆工艺制造的75°倾斜SOT器件中，实现了156 fJ的全球最低写入功率，与当前SOT器件技术相比降低了35%，同时仍保持了稳定性。

这一成果为开发低功耗、高速、无场写入的倾斜式SOT-MRAM提供了重要指导，有望推动其商业化应用。基于这些发现，采用SOT-MRAM将有助于实现节能、高性能的电子产品，从而开启技术进步的新纪元。