东京都立大学研究团队在《材料化学》期刊发表研究成果，成功开发出电阻率可调节的新型层状材料。这种层状材料在氧化处理后电阻率降低五个数量级，变化幅度达到类似非层状材料的百倍以上，为忆阻器技术发展提供了新材料选择。

研究团队采用脉冲激光沉积技术制备出高质量的Sr₃Cr₂O₇−δ钙钛矿结构薄膜。团队负责人冈大地副教授指出，该层状材料经过加热氧化处理后展现出显著的电学特性变化。通过分析材料结构，研究人员发现氧原子渗入与铬原子氧化态转变产生的协同效应，是导致层状材料导电性能提升的关键因素。

这种层状材料的特殊性能使其在忆阻器制造领域具有应用潜力。与三维结构材料相比，层状材料的原子排列方式为其电学性质调控提供了更多可能性。研究团队表示，层状材料的结构特性与氧化过程的结合，为电子器件设计提供了新的技术路径。

新型层状材料的研发将推动下一代计算器件发展。该研究提出的材料设计原则可应用于其他薄膜体系，为人工智能芯片等设备的能效提升提供技术支持。

更多信息： Zhaochen Ma 等，《氧化诱导的层状 Sr3Cr2O7−δ 外延薄膜结构和电子重构相关的巨大电阻率变化》，《材料化学》( 2025)。期刊信息： 材料化学