隶属于蔚山科学技术大学(UNIST)的研究团队，在二维(2D)半导体材料商业化进程中，于克服接触电阻这一难题上取得重大进展。相关成果发表于ACS Nano，揭示了理论模型与实验结果间，关于接触界面处阻碍电子流动能垒的长期差异，为精准预测性能、加速超小型二维半导体芯片开发奠定基础。

该研究由郑昌旭教授和权顺勇教授领衔。团队发现，现有理论模型与实验结果在二维半导体和双碱金属半金属材料界面能量势垒上不匹配，根源在于二硫化钼(MoS₂)内部的“导带扩展”现象。当金属触点以特定角度接近半导体时，导电通路扩展，有效降低能垒，促进电子移动。基于此，团队开发出改进预测公式，既考虑导带扩展效应，又兼顾常被忽视的真空能级偏移，成功重现此前传统方法无法解释的实验结果，为二维纳米电子学界面物理提供更可靠理论框架。

郑昌旭教授称：“我们的发现从根本上阐明了二维半导体和半金属界面处能垒形成机制，传统理论未能解释此机制。通过建立更准确全面的模型，能更有效确定最佳材料组合和器件结构，加速下一代半导体技术发展。”这一突破为二维半导体材料走向实际应用扫清重要障碍。

更多信息： Juwon Han 等人，《二维纳米电子学中的接触物理：II 型 Weyl 半金属和 Dirac 半金属的比较研究》，ACS Nano (2025)。期刊信息： ACS Nano