维度网讯，上海三菲半导体有限公司近日与中国太仓市城厢镇签署协议，计划总投资20亿元建设三菲化合物半导体光芯片制造基地。该项目一期总投资达10亿元，预计于今年8月开工，并计划于2028年投产运营。达产后，该基地预计实现年产值超10亿元，成为支撑中国高端光通信产业链的重要增长点。

上海三菲半导体在光芯片制造、电芯片及算法领域拥有深厚的自主技术积淀，具备月产800万颗高端光芯片的稳定量产经验。此次落户太仓的项目将专注于磷化铟(InP)激光器、光电探测器芯片以及砷化镓(GaAs)激光器芯片的研发与生产。项目在打造涵盖外延生长、芯片制造到光电融合的一体化产业链，其产品将广泛应用于5G通信、超算数据中心及激光传感等前沿领域。

在当前AI算力需求爆发的背景下，光芯片作为光模块的核心器件，正面临技术迭代的关键期。由于800G及1.6T等超高带宽光模块必须采用磷化铟材料来实现高频段需求，传统的硅和砷化镓材料已难以满足性能要求。随着2026年全球1.6T光模块出货量有望突破1000万只，磷化铟材料的价格已出现大幅飞涨，2英寸衬底价格涨幅高达187%。三菲半导体的这一布局，不仅顺应了全球光通信市场的爆发周期，更将助力中国在2025年预计超159亿元的规模化光芯片市场中抢占技术高地，强化中国作为全球核心光器件供应地的战略地位。

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