维度网讯，Coherent Corp.推出碳化硅厚外延新能力支持最高10kV功率器件制造。该公司150毫米与200毫米外延平台已展示超过10kV的器件性能阈值。此项技术突破面向下一代AI数据中心配电架构与高压工业系统对更高效率与功率密度的需求。

据Coherent Corp.公告，厚外延工艺可使碳化硅器件耐压等级提升至多千伏范围。该公司碳化硅业务高级副总裁Gary Ruland指出，下一代数据中心电力架构与高压工业系统是推动碳化硅采用的关键因素。面向多千伏SiC器件的新型厚外延能力使客户能够在能源基础设施大容量不间断电源以及AI数据中心先进配电系统中实现更高效率与功率密度。在AI数据中心场景中更高电压运行可降低配电损耗并提升整体系统效率。

Coherent Corp.持续扩展垂直整合碳化硅产品组合覆盖衬底至先进外延环节。该能力面向电网基础设施轨道交通系统可再生能源与快速充电网络等应用领域。超大规模AI基础设施向兆瓦级部署扩展促使电源转换架构向更紧凑更高效方向演进。将电能转换更靠近机架并在数据中心内部采用更高电压直流配电架构成为行业技术迭代方向之一。

此进展发生在宽禁带半导体行业扩大供给与降低单位功率成本的竞争背景下。Wolfspeed安森美与意法半导体等企业均在投资碳化硅材料与更大晶圆尺寸。Coherent Corp.向200毫米SiC与更高电压器件类别的推进显示下一阶段创新聚焦电力电子散热与AI计算基础设施的协同优化。

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