维度网讯，5月25日，韩国SK海力士宣布推出iHBM散热方案，将集成冷却元件嵌入高带宽内存封装，用于下一代HBM产品。该方案通过在封装内部增加散热路径，降低HBM在高密度、高带宽运行环境中的热阻，面向AI数据中心和高性能计算系统的稳定运行需求。

这项发布切中的是AI内存从带宽竞争转向系统热管理竞争的关键环节。随着AI加速器持续提升算力，HBM需要以更高堆叠层数和更快传输速度支撑模型训练、推理和数据处理负载，芯片封装内部的功率密度随之升高。对数据中心客户来说，HBM性能已经不只取决于容量、带宽和良率，散热效率也会直接影响加速器运行频率、系统稳定性、机柜功耗和长期可靠性。SK海力士此次把散热元件直接引入HBM封装，说明AI内存竞争正在从单颗芯片指标延伸到封装结构、热路径设计和系统级运行效率。

iHBM的技术重点，是在HBM封装中嵌入集成冷却元件ICE。SK海力士介绍，ICE由电绝缘、导热型硅基材料制成，可为HBM封装提供额外热传导路径。不同于现有HBM主要通过核心裸片间接导热，iHBM将ICE放置在热量更集中的D2D PHY区域，直接改善高热区域散热条件。

D2D PHY是连接HBM与GPU、AI加速器之间的高速硬件接口，也是高带宽数据交换中的关键部位。SK海力士称，iHBM方案可将热阻降低30%，使芯片在高温、高压环境下保持更稳定运行。对AI服务器而言，这类改进有助于缓解HBM堆叠层数增加后带来的局部热集中问题，也为后续HBM5等下一代产品预留更高密度封装空间。

量产兼容性是该方案另一个重要信号。SK海力士表示，iHBM基于其已验证的MR-MUF技术和晶圆级封装流程，可支持稳定大批量生产;同时，该方案与现有系统级封装架构具备较高设计兼容性，客户在导入时不需要进行大幅结构调整。对于云厂商、AI芯片企业和服务器平台客户来说，新型封装散热技术能否快速进入产品路线图，往往取决于它是否能与既有供应链、封装工艺和系统设计衔接，而不是只看实验室散热指标。

HBM已经成为AI基础设施中的核心集成电路产品之一。GPU和AI加速器需要在极短时间内读取和写入大量模型参数、激活值和中间数据，HBM通过堆叠DRAM裸片和宽接口提供高带宽，但封装内部空间有限，散热压力会随堆叠和速度提升同步放大。iHBM把热管理前移到内存封装内部，有助于存储器厂商在AI计算平台中承担更高系统价值，也会推动先进封装、材料、测试和服务器热设计环节协同升级。

SK海力士表示，iHBM计划用于包括HBM5在内的下一代HBM产品，以提高高性能计算和AI数据中心在高密度、高带宽环境中的稳定性与运行效率。公司封装开发负责人Lee Kangwook称，iHBM结合了内存设计能力和先进封装技术，是面向AI环境热管理需求的解决方案。

项目后续节点包括iHBM在HBM5产品中的导入进度、客户验证结果、量产良率、与AI加速器平台的协同设计，以及该方案能否成为高堆叠HBM封装的标准化散热路径。现阶段可确认的是，SK海力士已发布iHBM散热方案，并披露其热阻降低30%、采用ICE集成冷却元件、兼容MR-MUF和系统级封装架构等技术信息;公开信息未披露具体客户、量产时间、HBM5样品参数、合同金额或服务器平台采用名单，因此不宜扩写为该方案已在AI数据中心大规模商用。

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