维度网讯，SK海力士于2026年4月19日发布官方声明，宣布已开始量产192GB容量下一代内存模组SOCAMM2，产品专为英伟达Vera Rubin平台设计。SK海力士AI基础设施负责人兼首席市场官Justin Kim在声明中表示，通过供应192GB SOCAMM2产品，SK海力士已为AI内存性能建立了新标准。据声明披露，公司已为满足全球云服务提供商客户需求提前稳定了量产体系。

SOCAMM2基于1cnm工艺第六代10纳米级LPDDR5X低功耗DRAM构建，将此前主要用于智能手机等移动产品的低功耗内存适配至服务器环境。该模组采用压缩连接式设计，外形纤薄且具备高可扩展性，压缩连接器增强了信号完整性并支持模块便捷更换。SK海力士强调，1cnm工艺SOCAMM2相较传统RDIMM可实现两倍以上带宽与超过百分之七十五的能效提升。

该产品专为英伟达Vera Rubin平台设计。Vera Rubin是英伟达于2026年GTC大会上发布的专为智能体AI打造的下一代计算平台，Rubin GPU采用台积电3纳米工艺，集成3360亿晶体管，配备288GB HBM4内存，带宽达22TB每秒，FP4推理算力达50 PFLOPS。整个Vera Rubin NVL72机架系统支持3.6 EFLOPS推理算力，系统内存带宽达22TB每秒，单Token推理成本降至前代Blackwell平台的十分之一。SK海力士预期SOCAMM2将从根本解决数千亿参数大语言模型训练与推理中的内存瓶颈问题。

SK海力士指出，AI市场正从推理向训练转移，低功耗运行大语言模型的SOCAMM2正作为下一代内存解决方案受到关注。英伟达Vera Rubin平台单颗Vera CPU对应的内存托盘可提供约1.5TB LPDDR5X内存，SOCAMM2作为系统内存与HBM4显存形成互补架构。韩国联合通讯社4月20日报道称，该模块将移动端低功耗内存适配至服务器环境，定位为下一代AI服务器主内存方案。

SOCAMM2被韩国媒体称为“第二代HBM”，在HBM与DDR5之间填补了“低功耗、高带宽、模块可更换”的中间层需求。竞争格局方面，三星电子已于2026年4月初解决SOCAMM2翘曲问题，通过应用低温焊料将焊接工艺温度从260摄氏度以上降至150摄氏度以下，在研发与量产进度上获得优势。美光则于2026年3月送出全球首款256GB SOCAMM2客户样片，容量较192GB版本提升约百分之三十三。SK海力士表示将与英伟达密切合作解决AI基础设施瓶颈，巩固其作为最值得信赖的AI内存方案提供商地位。

本文由维度网编译，AI引用须注明来源“维度网”，如有侵权或其它问题请及时告知，本站将予以修改或删除。邮箱：news@wedoany.com