维度网讯，TDK公司推出B25696H系列MKP直流高频薄膜电容器，该系列专为下一代碳化硅（SiC）功率转换系统设计，用作直流链路元件。新产品瞄准储能系统、固态变压器、可再生能源逆变器、牵引驱动和工业电机控制等领域对低损耗、高频无源元件的增长需求。

B25696H系列提供47 µF至1280 µF的电容值范围，直流电压额定值覆盖900 V至2000 V。该系列针对SiC功率半导体实现的高开关频率拓扑进行优化，在此类拓扑中，最小化寄生效应对最大化效率和可靠性至关重要。

该系列的关键特性在于其专有的内部母线架构，可促进电容器绕组上的均匀电流分布。据TDK称，该设计在10 kHz下可实现低至30 nH的自感值和低至0.8 mΩ的等效串联电阻（ESR），同时在100 kHz内保持稳定的ESR性能。

降低电感和电阻损耗有助于限制SiC器件上的电压过冲和开关相关电应力。这可以改善热性能，提高系统鲁棒性，并在先进功率变流器设计中支持更高工作频率。

这些电容器采用金属化聚丙烯（MKP）介电技术，封装在铝制外壳中，顶部采用树脂密封。提供85 mm和100 mm直径版本，配备M6螺纹接线端子以及用于机械安装的M12安装螺柱。

该系列指定在-40°C至+85°C热点温度范围内工作。TDK报告称，在+75°C热点温度和额定电压下，预期使用寿命为100,000小时；当采用电压和温度降额时，运行寿命可能延长至200,000小时。

这些电容器还支持在10 kHz和+60°C环境温度下高达91 A的纹波电流，使其适用于高功率密度变流器架构。

为帮助系统设计人员，TDK提供了CapThermal仿真工具，该工具可根据特定应用的操作条件进行热分析和寿命估算。该工具旨在简化元件选择，并加速基于SiC的高性能电力电子系统的开发。

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