维度网讯，三菱电机株式会社（Mitsubishi Electric Corporation）推出第五代碳化硅（SiC）MOSFET裸晶样品，专为电动汽车动力总成应用开发。公司计划于6月底开始陆续提供样品，目标用于电动汽车（EV）、插电式混合动力汽车（PHEV）及其他电动化车辆平台的牵引逆变器和eAxle系统。

新产品采用三菱电机专有的沟槽型SiC MOSFET技术，设计相比前代产品实现更低的导通损耗。第五代产品的导通电阻比现有方案低约25%，有助于提高汽车牵引系统的整体功率转换效率。

更低的导通电阻直接减少了逆变器中的导通损耗，提高传动效率并更有效利用电池能量。整车制造商可借此提升续航里程，同时支持更紧凑、更高效的动力总成架构。

三菱电机表示，新SiC MOSFET裸晶旨在支持高性能逆变器和集成式eAxle系统的持续演进，功率密度和效率提升仍是关键设计目标。这些器件有望促进系统小型化和功率性能增强，推动行业向更高效率的电动化车辆转型。

制造工艺技术的进步旨在最大限度减少长期性能退化，并降低器件生命周期内关键参数（如功率损耗和导通电阻）的波动。在汽车环境中，长时间运行中保持稳定的电气特性尤其重要，因为其对可靠性和耐久性要求严苛。

通过结合更低损耗与更高一致性及长期稳定性，新SiC MOSFET旨在提升xEV逆变器和eAxle系统的耐久性与运行性能。

三菱电机计划在2026年德国纽伦堡PCIM Expo & Conference以及日本、中国等国际市场的其他行业展会上展示第五代SiC MOSFET裸晶。该产品进一步扩展了公司面向下一代汽车电动化应用的碳化硅产品组合。

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