维度网讯，东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）推出采用最新一代工艺U-MOS11-H制造的80V N沟道功率MOSFET“TPM1R408RH”，主要面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源，即日起开始出货。
AI数据处理规模持续扩大，数据中心功耗需求日益增长；通信基础设施的发展也对开关电源在高效率、小型化（高功率密度）和低电磁干扰（EMI）方面提出更高要求。功率损耗直接影响系统功耗、发热量和冷却负荷，因此需要采用能平衡降低导通损耗和开关损耗的功率半导体，以优化包括EMI抑制、热设计和安装便利性在内的系统整体性能。
TPM1R408RH采用优化的器件结构，其漏源导通电阻（最大值）达到1.4mΩ，与采用上一代U-MOS X-H工艺制造的东芝80V产品“TPM1R908QM”相比降低约26%。同时，该产品改善了漏源导通电阻（RDS(ON)）与总栅极电荷（Qg）之间的平衡，其品质因数RDS(ON)×Qg相比TPM1R908QM降低约45%。这些特性带来在业界处于低水平的功耗损耗表现。
TPM1R408RH还可抑制开关过程中漏极与源极之间产生的尖峰电压，有助于降低开关电源中的EMI。EMI抑制通常需要在设计后期返工，而抑制器件自身的尖峰电压可减少返工需求，并简化滤波器和缓冲电路。
新产品采用SOP Advance（E）封装，与东芝现有的SOP Advance（N）封装相比，封装电阻降低约65%，热阻降低约15%。通过抑制发热并改善散热性能，该封装可支持更高输出功率和更紧凑的电源设计。
东芝还提供开关电源电路设计支持工具。除可快速验证电路功能的G0 SPICE模型外，现还提供能够准确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。东芝网站上的在线电路仿真器允许用户在网页浏览器中直接验证电路运行情况，无需搭建仿真环境或下载器件模型。
东芝将持续扩充有助于提升电源效率的功率MOSFET产品线，以帮助降低工业设备功耗。
该产品适用于AI数据中心和通信基站的开关电源等工业设备。其主要特性包括：低漏源导通电阻，RDS(ON)为1.4mΩ（最大值，VGS＝10V，ID＝50A，Ta＝25°C）；低漏源导通电阻×总栅极电荷，RDS(ON)×Qg为1.4mΩ×80nC＝112mΩ·nC（较TPM1R908QM的1.9mΩ×108nC＝205.2mΩ·nC降低约45%）；采用低封装电阻和低热阻的SOP Advance（E）封装。主要规格（除非另有说明，Ta＝25°C）如下：
注：[1] 截至2026年6月，基于东芝低压功率MOSFET工艺。[2] VGS＝10V，ID＝50A，Ta＝25°C。[3] 截至2026年6月的东芝调研。
