英汉思签约落户中国武汉，加速MOCVD设备研发生产

维度网讯，7月7日，英汉思技术有限公司签约落户中国湖北武汉未来科技城，专注于MOCVD设备的研发与生产。

英汉思成立于2024年，能够覆盖氮化镓、碳化镓、砷化镓、磷化铟等多种半导体材料体系，其产品应用于手机快充芯片、5G基站功率器件、新能源车功率模块等领域。该公司提供半导体外延设备的端到端解决方案，成立两年多来累计融资超过1亿元。

MOCVD设备是化合物半导体光电子器件的关键外延设备，通过化学气相沉积在衬底上生长出决定芯片光电性能的单晶薄膜。目前海外企业占据较高市场份额，国内厂商份额有限。

据英汉思董事长蒋琦介绍，企业落户后，将联动九峰山实验室及区内上下游企业，加速完成国产化MOCVD设备的研发迭代和生产交付。目前已在光谷开展设备调试，后续将入驻高科激光产业基地，建设面积超过2000平方米的生产基地，实现多型号MOCVD设备的批量出货。

光谷已集聚300余家集成电路企业。九峰山实验室作为化合物半导体链主单位，自2021年成立以来已吸引超过50家上下游企业扎根光谷，形成了覆盖化合物半导体材料、器件到封装检测的完整产业链。