美国SK海力士超40亿美元HBM封装基地奠基

8月27日，SK海力士在美国印第安纳州西拉斐特举行先进存储封装生产基地奠基仪式。项目总投资超过40亿美元，占地约133.5英亩，将建设下一代高带宽存储器（HBM）先进封装生产线及研发设施，是SK海力士在美国建设的首个HBM生产基地。

按照最新建设安排，项目洁净室计划于2028年10月启用，新一代HBM计划于2029年下半年启动量产。SK海力士首席执行官郭鲁正在奠基活动期间表示，HBM4E产品计划于2029年第三季度开始规模生产，基地最终年处理能力预计达到数十万片晶圆。项目进入商业运营阶段后，工厂预计配置约1000名员工。

基地采用与韩国生产体系衔接的生产安排，SK海力士在韩国生产的晶圆将运往印第安纳州，在当地完成先进封装和测试后向美国客户供应。生产线旁还将建设先进封装研发测试平台，用于下一代封装技术研发、原型制造和性能验证。

奠基仪式期间，SK海力士与普渡大学签署先进封装研发合作谅解备忘录，双方将围绕HBM、系统集成及先进封装技术开展联合研究。SK海力士目前正在考察超过100家材料、零部件及设备企业作为西拉斐特基地潜在供应商，并预计项目建设和后续运营将形成约7000个直接及间接就业岗位。

美国商务部已于2024年12月完成该项目《芯片与科学法案》激励安排，向SK海力士提供最高4.58亿美元直接资助及最高5亿美元贷款，相关资金将根据项目建设节点分阶段发放。当时确认的项目投资规模约38.7亿美元，此次SK海力士将最新总投资口径调整为超过40亿美元。