1月4日，士兰微电子隆重举行8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式与12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线开工典礼。公司董事长陈向东、副董事长兼制造事业总部总裁范伟宏等管理层代表，与众多技术专家及产业链合作伙伴共同出席，见证公司在芯片制造产能布局上的重要进展。

陈向东董事长在致辞中阐述了士兰微电子的发展历程、业务重心与未来战略，强调公司将持续向更高营收目标迈进，并在功率半导体之外拓展更多产品与技术领域，致力于成为全球领先的半导体供应商。

范伟宏副董事长详细介绍了新投产及开工的两条产线背景与规划。他指出，士兰微目前已布局三大生产基地，覆盖碳化硅(SiC)与硅基(Si)芯片制造，能够有效支撑下游市场需求。

8英寸碳化硅芯片生产线由旗下士兰集宏负责建设，总投资120亿元，占地约205亩。项目分两期实施，一期投资70亿元，达产后可年产42万片8英寸碳化硅芯片;全部建成后总产能将达72万片/年，有望成为全球规模领先的8英寸碳化硅功率器件产线，填补国内大尺寸碳化硅芯片制造产能缺口。

同时开工的12英寸高端模拟集成电路芯片生产线，一期达产后将形成年产24万片12英寸芯片的生产能力，进一步强化公司在高端模拟芯片领域的制造实力。