SK海力士已完成对中国无锡工厂的重大技术升级，将原有1z工艺DRAM生产线全面转换为1a工艺，月产能达18万至19万片12英寸晶圆，其中1a工艺占比超九成。此次升级仅耗时两年，在应对美国半导体设备出口限制的同时，巩固了该工厂作为SK海力士全球DRAM核心生产基地的地位，其产量占公司总产量的30%至40%。

1a工艺作为第四代10nm DRAM技术，性能较前代显著提升，但需依赖极紫外(EUV)光刻设备。受美国出口管制影响，SK海力士创新采用“韩国完成EUV精细电路+中国完成剩余工序”的跨国协作模式，确保无锡工厂顺利转型。公司总裁宋铉钟强调：“中国工厂对全球存储器供需至关重要，我们将持续与各国政府沟通以保障运营。”自2006年投产以来，SK海力士已对无锡工厂投入数万亿韩元，此次升级标志着其“通用DRAM中国生产、尖端DRAM韩国生产”战略的落地。

与此同时，SK海力士正加速全球产能扩张。为应对内存芯片需求激增，公司计划将韩国龙仁新工厂投产时间提前三个月至2027年2月，并拟于下月向清州M15X晶圆厂部署硅晶圆，生产高带宽存储器(HBM)芯片。龙仁工厂作为其4070亿美元“半导体集群”计划的首期项目，未来将容纳四座晶圆厂。美国公司首席执行官柳成洙表示，客户正转向多年供应协议以锁定产能，公司每月动态调整生产计划以满足需求。据TrendForce数据，受人工智能基础设施驱动，第四季度部分存储芯片价格同比涨幅超300%，SK海力士作为全球第二大存储芯片商，股价年内已上涨280%。