Magnachip发布新一代650V与1200V IGBT 适用于太阳能逆变器和储能系统

Magnachip Semiconductor Corporation近日推出专为太阳能逆变器和工业储能系统（ESS）设计的新系列IGBT产品。随着相关应用对高效率和功率密度的需求增长，先进的半导体技术成为关键支撑。

该系列包含650V和1200V两种电压等级的新一代分立式IGBT，针对高功率逆变器及储能系统应用进行了专门优化。器件提供TO-247和TO-247-Plus两种封装选项，公司还计划后续推出带Kelvin引脚的TO-247-4封装，以进一步提升开关性能。

通过采用先进的场截止沟槽技术，新系列IGBT的单元间距较上一代产品缩小了40%，从而在相同芯片面积下实现了效率与电流容量的提升。同时，反向偏置安全工作区（RBSOA）性能改善超过30%，能够在高电压、高电流的严苛条件下确保稳定运行。这些特性使其更适合对可靠性和效率要求较高的高功率应用场景。

Magnachip目前已是多家国内外太阳能逆变器制造商的主要IGBT供应商。此次产品发布后，其产品线已覆盖从住宅逆变器到功率高达150 kW的工业系统，为客户提供了可根据实际运行条件灵活选择的解决方案。

根据规划，Magnachip将在2026年上半年进一步扩展产品阵容，包括额定电流高达150 A的650V高电流器件，以及新增的750V电压等级产品。