渥太华大学物理学助理教授Hang Chi领导的国际研究团队在《物理学进展报告》发表重要成果，开发出磁性增强的超薄磁体材料。这项突破为开发更高效的电子设备和量子计算机提供了新的材料基础。

传统磁体难以小型化应用，而原子级厚度的二维磁体又存在低温工作限制。研究团队创新性地将超薄磁体与拓扑绝缘体材料结合，使磁体性能获得显著提升。实验数据显示，这种复合结构的磁性强度提高了20%，工作温度范围也得到扩展。

Hang Chi教授表示："这就像是给磁铁加了个助力。通过材料组合，我们提升了磁体性能而不损害其特性。"该技术的关键在于利用拓扑绝缘体表面电子的特殊传导特性，有效增强了超薄磁体的磁稳定性。

目前，这种增强型超薄磁体已在液氮温度(77开尔文)下展现优异性能。研究团队正致力于测试更多材料组合，目标是实现室温环境下的稳定工作，这将大幅拓展其实际应用前景。

这项技术突破为开发更小、更节能的电子器件铺平了道路。未来可能应用于高速计算设备、高密度数据存储系统以及量子信息处理等领域。研究人员指出，这种材料设计方法为纳米级磁体研究提供了新的方向。

更多信息： Yunbo Ou 等人，通过拓扑绝缘体耦合 增强单层 Cr 2 Te 3的铁磁性， 《物理学进展报告》(2025 年)。期刊信息： 《物理学进展报告》